一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构

摘要

本发明公开了一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构，包括全反腔片、调Q晶体、起偏器、半导体泵浦模块、激光棒、输出腔片、退压调Q高压模块、激光电源和激光水冷系统。半导体泵浦模块通过激光电源提供能量发光，产生的光泵浦光对准激光棒发射以便最大限度的进入激光棒内对激光棒进行泵浦；起偏器用于产生分离P光和S光，使P光和S光分别在两支路中形成振荡，以有效地补偿热退偏效应；调Q晶体和起偏器串联组成电光Q开关，调Q晶体由退压调Q模块提供1/4波电压形成所述电场，并通过激光电源控制调Q电压的脉冲时间；激光电源为半导体泵浦模块提供能量并同时控制水冷系统、电光Q开关等进行协调工作。

主权项

一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构，其特征在于：包括周围环绕有半导体泵浦模块的激光棒，激光棒前端前方设有输出腔片，还包括激光电源、退压调Q高压模块、两组调Q晶体、起偏器，所述调Q晶体为长方体状的铌酸锂晶体，铌酸锂晶体经X‑Y‑Z方向切割形成LN电光的调Q晶体，且调Q晶体的X轴方向加电场、沿Z轴方向通光，其中第一组调Q晶体的Z轴与激光棒中心轴同轴，第一组调Q晶体的前端与激光棒后端相对，且第一组调Q晶体的后端后方设有全反腔片，所述起偏器设在激光棒后端与第一组调Q晶体前端之间，第二组调Q晶体设置在起偏器一侧，且第二组调Q晶体Z轴一端倾斜对准起偏器，第二组调Q晶体Z轴另一端外亦设有全反腔片，由两组调Q晶体和起偏器构成电光Q开关，两组调Q晶体分别与退压调Q高压模块连接，由退压调Q高压模块分别向两组调Q晶体施加电场，所述激光电源分别供电至退压调Q高压模块、半导体泵浦模块；激光电源向半导体泵浦模块提供能量，半导体泵浦模块产生泵浦光，泵浦光进入激光棒内进行泵浦产生高脉冲激光，在激光棒前端高脉冲激光经过输出腔片出射，在激光棒后端高脉冲激光经过电光调Q开关调Q后，再经过全反腔片反射后依次经过激光棒、输出腔片出射。