| 发明名称 | 包括将源极区域与漏极区域互连的半导体板的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件，包括衬底、第一源极/漏极(S/D)、第二S/D和半导体板单元。衬底在基本水平方向上延伸。第一S/D形成于衬底上。第二S/D设置在第一S/D之上。半导体板单元在基本垂直方向上延伸并且使第一S/D与第二S/D互连。本发明也公开了一种用于制造半导体器件的方法。本发明还涉及包括使源极和漏极互连的半导体板单元的半导体器件。本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、第一源极/漏极(S/D)区域、第二S/D区域、以及半导体板。第一S/D区域设置在衬底上。第二S/D区域设置在第一S/D区域之上。半导体板将第一S/D区域与第二S/D区域互连并包括多个弯转。也公开了一种用于制造该半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105280705A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510124259.1 | 申请日期 | 2015.03.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴俊鹏;大藤彻;蔡庆威;王志豪;刘继文;汤皓玲;何炯煦;佘绍煌;谢文兴 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，在基本水平方向上延伸；第一源极/漏极(S/D)，形成于所述衬底上；第二S/D，设置在所述第一S/D之上；以及半导体板单元，在基本垂直方向上延伸并且使所述第一S/D与第二S/D互连。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||