发明名称 一种基于CNFET的单边沿脉冲信号发生器
摘要 本发明公开了一种基于CNFET的单边沿脉冲信号发生器,包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管和第七CNFET管,所述的第一CNFET管、所述的第三CNFET管和所述的第六CNFET管为P型CNFET管,所述的第二CNFET管、所述的第四CNFET管、所述的第五CNFET管和所述的第七CNFET管为N型CNFET管;第一CNFET管的栅极、第二CNFET管的栅极、第三CNFET管的源极和第四CNFET管的栅极连接,第一CNFET管的漏极、第二CNFET管的漏极、第三CNFET管的栅极和第五CNFET管的栅极连接,第三CNFET管的漏极、第四CNFET管的漏极、第六CNFET管的栅极和第七CNFET管的栅极连接,第四CNFET管的源极和第五CNFET管的漏极连接,第六CNFET管的漏极和第七CNFET管的漏极连接;优点是具有明显的高速低功耗特性。
申请公布号 CN105281711A 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201510701906.0 申请日期 2015.10.26
申请人 宁波大学 发明人 王谦;汪鹏君;龚道辉
分类号 H03K3/012(2006.01)I 主分类号 H03K3/012(2006.01)I
代理机构 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人 方小惠
主权项 一种基于CNFET的单边沿脉冲信号发生器,其特征在于包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管和第七CNFET管,所述的第一CNFET管、所述的第三CNFET管和所述的第六CNFET管为P型CNFET管,所述的第二CNFET管、所述的第四CNFET管、所述的第五CNFET管和所述的第七CNFET管为N型CNFET管;所述的第一CNFET管的源极、所述的第一CNFET管的衬底、所述的第三CNFET管的衬底、所述的第六CNFET管的源极和所述的第六CNFET管的衬底均接入电源,所述的第一CNFET管的栅极、所述的第二CNFET管的栅极、所述的第三CNFET管的源极和所述的第四CNFET管的栅极连接且其连接端为所述的基于CNFET的单边沿脉冲信号发生器的信号输入端,所述的第一CNFET管的漏极、所述的第二CNFET管的漏极、所述的第三CNFET管的栅极和所述的第五CNFET管的栅极连接,所述的第三CNFET管的漏极、所述的第四CNFET管的漏极、所述的第六CNFET管的栅极和所述的第七CNFET管的栅极连接,所述的第四CNFET管的源极和所述的第五CNFET管的漏极连接,所述的第六CNFET管的漏极和所述的第七CNFET管的漏极连接且其连接端为所述的基于CNFET的单边沿脉冲信号发生器的信号输出端,所述的第二CNFET管的源极、所述的第二CNFET管的衬底、所述的第四CNFET管的衬底、所述的第五CNFET管的源极、所述的第五CNFET管的衬底、所述的第七CNFET管的源极和所述的第七CNFET管的衬底均接地。
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