一种GaN基LED超晶格缓冲层结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种GaN基LED超晶格缓冲层结构及其制备方法，通过在蓝宝石衬底上周期交替制备GaN层及Al_1-xGa_xN层，形成具有超晶格结构的缓冲层，并通过控制通入的Al原子及Ga原子数目的比例控制所述Al_1-xGa_xN层中Ga组分的变化，或通过控制外延GaN层及Al_1-xGa_xN层的时间比例控制其厚度比，以减小外延边缘波长与中心波长的差值逐渐，使得外延中心波长与边缘波长基本一致，从而使外延波长的均匀性得到提高。本发明还可以大幅度减少后续芯片与分选流程的时间和成本，提高了最终的产品产出率。

主权项

一种GaN基LED超晶格缓冲层结构，其特征在于，所述超晶格缓冲层结构为由多个GaN层及多个Al_1‑xGa_xN层相互交替层叠的层叠结构，其中，0.01≤x≤1，且各该Al_1‑xGa_xN层中Ga组分x随层叠数的增加而递增，随着层叠数的增加，所述Al_1‑xGa_xN层与所述GaN层的厚度比递增。