用于扩散桥接单元库的方法及设备

摘要

本发明揭示用于设计集成电路的单元的库，所述库包括连续扩散可相容CDC单元。CDC单元包含：p掺杂扩散区，其电连接到供应轨且从所述CDC单元的左边缘到右边缘是连续的；第一多晶硅栅极，其安置在所述p掺杂扩散区上方且电连接到所述p掺杂扩散区；n掺杂扩散区，其电连接到接地轨且从所述左边缘到所述右边缘是连续的；第二多晶硅栅极，其安置在所述n掺杂扩散区上方且电连接到所述n掺杂扩散区；左浮动多晶硅栅极，其安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且接近所述左边缘；及右浮动多晶硅栅极，且安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且接近所述右边缘。

主权项

一种包括集成电路的设备，所述集成电路包括：供应轨；接地轨；及第一单元，所述第一单元具有左边缘及右边缘，所述第一单元包括：p掺杂扩散区，其包含在所述第一单元中且从所述左边缘到所述右边缘是连续的，所述p掺杂扩散区电连接到所述供应轨；第一多晶硅栅极，其安置在所述p掺杂扩散区上方且电连接到所述供应轨；n掺杂扩散区，其包含在所述第一单元中且从所述左边缘到所述右边缘是连续的，所述n掺杂扩散区电连接到所述接地轨；第二多晶硅栅极，其安置在所述n掺杂扩散区上方且电连接到所述接地轨；左浮动多晶硅栅极，其安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且接近所述左边缘；及右浮动多晶硅栅极，其安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且接近所述右边缘。