半导体装置

摘要

本发明的实施方式提供一种可抑制电流及电压的振荡的半导体装置。实施方式的半导体装置包含：半导体衬底，包含第1面、及与第1面对向的第2面；第一p型半导体区域，选择性地设置在第1面侧；第一n型半导体区域，设置在第2面侧；第二n型半导体区域，设置在第一p型半导体区域与第一n型半导体区域之间，且n型杂质浓度比第一n型半导体区域低；第三n型半导体区域，设置在第一p型半导体区域与第二n型半导体区域之间，且n型杂质浓度比第二n型半导体区域低；第四n型半导体区域，设置在第一n型半导体区域与第二n型半导体区域之间，n型杂质浓度比第二n型半导体区域低，且载流子寿命比第三n型半导体区域长；阳极电极；及阴极电极。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：半导体衬底，包含第1面、及与所述第1面对向的第2面；第一p型半导体区域，选择性地设置在所述半导体衬底的所述第1面侧；第一n型半导体区域，设置在所述半导体衬底的所述第2面侧；第二n型半导体区域，设置在所述第一p型半导体区域与所述第一n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，且n型杂质浓度比所述第一n型半导体区域低；第三n型半导体区域，设置在所述第一p型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，且n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低；第四n型半导体区域，设置在所述第一n型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低，且载流子寿命比所述第三n型半导体区域长；阳极电极，电连接于所述第一p型半导体区域；及阴极电极，电连接于所述第一n型半导体区域。