| 发明名称 |
NANOCHANNEL ARRAY OF NANOWIRES FOR RESISTIVE MEMORY DEVICES |
| 摘要 |
본 발명은 절연 영역을 사이에 낀 2개의 전극을 포함하는 저항성 메모리 소자에 관한 것이다. 상기 소자는 상기 2개의 전극 사이에 전도 경로를 제공하는 나노채널 어레이를 추가로 포함한다. 상기 나노채널 어레이는 하나의 전극으로부터 다른 전극으로 연장되는 다수의 나노와이어를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160010432(A) |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
| 申请号 |
KR20157031052 |
申请日期 |
2013.05.15 |
| 申请人 |
HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. |
发明人 |
WANG SHIH YUAN;YANG JIANHUA |
| 分类号 |
H01L45/00;H01L27/24 |
主分类号 |
H01L45/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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