NON-VOLATILE MEMORY WITH PROGRAMMABLE RESISTANCE

摘要

L'invention concerne une mémoire non volatile comprenant une pluralité de cellules élémentaires (300), chaque cellule comportant : un premier élément de stockage (101) à résistance programmable connecté entre des premier (SL ; DL) et deuxième (n) noeuds de la cellule ; un premier transistor d'accès (103) reliant le deuxième noeud (n) à un troisième noeud (BL) de la cellule ; et un deuxième transistor d'accès (305) reliant le deuxième noeud (n) à un quatrième noeud (DL ; SL) de la cellule.