显示装置

摘要

公开显示装置及其制造方法。显示装置包括：第一绝缘基板；第二绝缘基板，面对第一绝缘基板；多个像素，设置在第一绝缘基板上，均包括：栅电极，设置于第一绝缘基板上；栅极绝缘层，设于第一绝缘基板上以覆盖栅电极；半导体图案，设置于栅极绝缘层上以与栅电极重叠；源电极，设于半导体图案上；漏电极，设于半导体图案上以与源电极隔开；透明像素电极，包括第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极设于栅极绝缘层上并且部分地与漏电极接触，第二像素电极覆盖第一像素电极；公共电极，设置于第一绝缘基板或第二绝缘基板上以与像素电极一起形成电场，第一像素电极包括至少包含铟的导电金属氧化物层，第二像素电极包括不包含铟的导电金属氧化物层。

主权项

一种显示装置，包括：第一绝缘基板；第二绝缘基板，面对所述第一绝缘基板；以及多个像素，设置在所述第一绝缘基板上，每个像素均包括：栅电极，设置于所述第一绝缘基板上；栅极绝缘层，设置于所述第一绝缘基板上以覆盖所述栅电极；半导体图案，设置于所述栅极绝缘层上以与所述栅电极重叠；源电极，设置于所述半导体图案上；漏电极，设置于所述半导体图案上以与所述源电极隔开；透明像素电极，包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极设置于所述栅极绝缘层上并且部分地与所述漏电极接触，所述第二像素电极覆盖所述第一像素电极；以及公共电极，设置于所述第一绝缘基板或所述第二绝缘基板上以与所述像素电极一起形成电场，其中，所述第一像素电极包括至少包含铟的透明导电氧化物层，并且所述第二像素电极包括不包含铟的透明导电氧化物层，其中，所述第二像素电极包括包含铝、锗和镓中的至少一种的掺杂剂，所述第二像素电极中的掺杂剂浓度为金属氧化物的质量分数5％以下。