一种形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法及其基材

摘要

本发明是关于一种形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法，包含:提供基材和含硅化合物；在隔绝空气和温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中裂解该含硅化合物以形成气体组成；借由氩气传送碳氢化合物的蒸气进入上述温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中，该碳氢化合物的蒸气和上述裂解的含硅化合物所形成的气体组成混合形成反应物；及在上述温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中,借由气相沉积程序使该反应物形成纳米片状结构网络在该基材之上,该纳米片状结构网络和该基材之间具有共价键结。再者，该纳米片状结构网络是类石墨烯纳米片状结构网络。

主权项

一种形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法，其特征在于该形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法包含:提供基材和含硅化合物；在隔绝空气和温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中裂解该含硅化合物以形成气体组成；借由氩气传送碳氢化合物的蒸气进入上述温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中，该碳氢化合物的蒸气和上述裂解的含硅化合物所形成的气体组成混合形成反应物；及在上述温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中,借由气相沉积程序使该反应物形成纳米片状结构网络在该基材之上,该纳米片状结构网络和该基材之间具有共价键结。