| 摘要 |
１２９０℃以上の高温長時間の熱拡散によって深い拡散層を形成するにあたって、深い拡散層を形成する熱拡散のための熱処理を、酸素雰囲気または酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気の第１熱処理を行った後に、窒素雰囲気または窒素と酸素との混合ガス雰囲気の第２熱処理を行う構成とする。第１熱処理では、ＣＺ−ＦＺシリコン半導体基板（１）の露出部分を熱酸化してＣＺ−ＦＺシリコン半導体基板（１）内の空孔欠陥（２）を格子間シリコン原子で埋めるとともに、ボロンイオン注入層（６）を拡散させてボロン拡散層を形成する。第２熱処理では、ボロン拡散層を拡散させて深い拡散層を形成する。これにより、１２９０℃以上シリコン結晶の融解温度未満の熱処理温度および１００時間以上の高温長時間の熱拡散によって深さ５０μm以上の拡散層を形成する工程を有する場合でも、結晶欠陥の発生を抑制し、かつ不活性ガスの使用量を削減させて製造コストを低減することができる。 |
