发明名称 |
N型半导体元件 |
摘要 |
作提供一种半导体元件包含:P型半导体层、N型半导体层、第一金属层及第二金属层。N型半导体层位于P型半导体层一侧。第一金属层设于P型半导体层且相对于N型半导体层的另一侧。第二金属层设于N型半导体层且相对于P型半导体层的另一侧。经由此一构造所构成的半导体元件仍具有崩溃电压值VB来抑制突波,进而防止耦接于此半导体元件的电子元件烧毁,避免过大的突波而造成电子产品损毁。 |
申请公布号 |
TWM516230 |
申请公布日期 |
2016.01.21 |
申请号 |
TW104216468 |
申请日期 |
2015.10.14 |
申请人 |
力神科技股份有限公司 |
发明人 |
萧地域 |
分类号 |
H01L29/40(2006.01);H02H9/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/40(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
李文贤 |
主权项 |
一种N型半导体元件,包含: 一P型半导体层; 一N型半导体层,邻接于该P型半导体层一侧; 一第一金属层,邻接于该P型半导体层且相对该N型半导体层的另一侧;及 一第二金属层,邻接于该N型半导体层且相对该P型半导体层的另一侧。 |
地址 |
桃园市桃园区中山路543号7楼 |