发明名称 N型半导体元件
摘要 作提供一种半导体元件包含:P型半导体层、N型半导体层、第一金属层及第二金属层。N型半导体层位于P型半导体层一侧。第一金属层设于P型半导体层且相对于N型半导体层的另一侧。第二金属层设于N型半导体层且相对于P型半导体层的另一侧。经由此一构造所构成的半导体元件仍具有崩溃电压值VB来抑制突波,进而防止耦接于此半导体元件的电子元件烧毁,避免过大的突波而造成电子产品损毁。
申请公布号 TWM516230 申请公布日期 2016.01.21
申请号 TW104216468 申请日期 2015.10.14
申请人 力神科技股份有限公司 发明人 萧地域
分类号 H01L29/40(2006.01);H02H9/00(2006.01) 主分类号 H01L29/40(2006.01)
代理机构 代理人 李文贤
主权项 一种N型半导体元件,包含: 一P型半导体层; 一N型半导体层,邻接于该P型半导体层一侧; 一第一金属层,邻接于该P型半导体层且相对该N型半导体层的另一侧;及 一第二金属层,邻接于该N型半导体层且相对该P型半导体层的另一侧。
地址 桃园市桃园区中山路543号7楼