发明名称 导电性结构之形成方法
摘要 电镀所需较长的电镀时间成为实际应用上的一大障碍。本发明提供一种可以藉由缩短传统所需之较长电镀时间而在较短时间内形成导电性结构的方法,该结构可用于具有多个通孔栓之三维封装。该方法包含:在表面中形成有多个通孔之基板的整体表面上形成导电性薄膜,该整体表面包含多个通孔之内部表面;于该导电性薄膜上之预定位置形成阻层图案;在第一镀覆条件下,利用该导电性薄膜作为供给层来实行第一电镀,进而将第一镀覆薄膜填入该等通孔内;以及在第二镀覆条件下,利用该导电性层与该第一镀覆薄膜作为供给层来实行第二电镀,藉此使得第二镀覆薄膜能够生长于该导电性薄膜与该第一镀覆薄膜上,该导电性薄膜与该第一镀覆薄膜皆暴露在该阻层图案之阻层开口中。
申请公布号 TWI518213 申请公布日期 2016.01.21
申请号 TW103126362 申请日期 2008.12.04
申请人 荏原制作所股份有限公司 发明人 长井瑞树;斋藤信利;栗山文夫;福永明
分类号 C25D7/12(2006.01);H01L21/3205(2006.01) 主分类号 C25D7/12(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项 一种导电性结构之形成方法,包括下列步骤:于使用三维沉积技术形成有通孔电极用凹形之基板的整体表面上形成导电性薄膜,该整体表面包含通孔电极用凹形之表面;于该导电性薄膜上之预定位置形成阻层图案;在利用该导电性层作为供给层来实行第一镀覆条件下,藉由将该基板浸入于含有能够抑制镀覆生长的,作为添加物而选自硫化物、聚合物或氮化物之添加物之镀覆溶液而进行第一电镀,进而将第一镀覆薄膜填入该等通孔电极用凹形内;在该等通孔电极用凹形填入该第一镀覆薄膜结束后,在利用该导电性层及第一镀覆薄膜作为供给层之第二镀覆条件下,将该基板浸入组成与该第一镀覆溶液不同之第二镀覆溶液而进行第二电镀,进而使得第二镀覆薄膜能够生长于暴露在该阻层图案之多个阻层开口中的该导电性薄膜与该第一镀覆薄膜上,于该阻层开口中形成具有平坦表面之第二镀覆薄膜。
地址 日本