| 主权项 |
一种半导体基板之制造方法，其特征为：将半导体晶圆(20)导入反应腔室(10)内，该半导体晶圆(20)为在表面形成有实施特定图案化的遮罩材(21)者；于上述反应腔室(10)内导入第1气体，使该第1导入气体电浆化来处理上述半导体晶圆(20)处理，依此而于上述半导体晶圆(20)依据上述遮罩材(21)之图案来蚀刻沟槽(22)；于上述反应腔室(10)内导入第2导入气体，使该第2导入气体电浆化来处理上述半导体晶圆(20)，依此而于上述沟槽(22)之壁面形成保护膜(23)，于上述反应腔室(10)内导入第3导入气体，使该第3导入气体电浆化来处理上述半导体晶圆(20)，依此而将形成于上述沟槽(22)底面的保护膜(23)除去，于上述遮罩材(21)残留于上述半导体晶圆(20)之状态下，重复进行上述沟槽(22)之蚀刻、上述保护膜(23)之形成，及将形成于上述沟槽(22)底面的保护膜(23)除去，依此而挖深上述沟槽(22)；及将形成于上述沟槽(22)底面的保护膜(23)除去之后，进行至少一次上述反应腔室(10)内之排气：深宽比以上述沟槽(22)之开口部之深度对宽度的比例来表示，在针对深宽比成为10以上之后的上述沟槽(22)进一步进行上述蚀刻之前，在将形成于上述沟槽
(22)之底面的保护膜(23)除去之后，至少进行1次上述反应腔室(10)内之排气。
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