半导体元件以及基于半导体晶粒的调准而形成与互连结构相对固定之凸块下金层化之方法

摘要

体元件为经由在一暂时载体上形成一第一导电层而得。一凸块下金属化层形成于该暂时载体上并固定于该第一导电层的相对位置。一导电柱形成于该第一导电层上。一半导体晶粒安装于该凸块下金属化层上以将该晶粒调准对应至该导电柱。一封胶剂沉积在该晶粒上及该导电柱四周。该凸块下金属化层在沉积该封胶剂时阻止该半导体晶粒移位。该暂时载体被移除。一第一互连结构形成于该封胶剂第一表面上。一第二互连结构形成于该封胶剂第二表面上。该第一及第二互连结构透过该导电柱进行电性连接。该第一或第二互连结构包含电性连接至该导电柱之一整合被动元件。

主权项

一种制造半导体元件之方法，包括：提供一第一导电垫片及一第二导电垫片；在该等第一及第二导电垫片之间形成一凸块下金属化(UBM)层；在该第一导电垫片上形成一第一导电柱；在该第二导电垫片上形成一第二导电柱；将一半导体构件沉积于该凸块下金属化层上以将该半导体构件调准对应至该等第一及第二导电柱；在该半导体构件上和该等导电柱四周况积一封胶剂；在该封胶剂的第一表面上形成一第一互连结构；及在与该第一互连结构相对之封胶剂的第二表面上形成一第二互连结构，该第一及第二互连结构为透过该等导电柱进行电性连接。