发明名称 | 激光剥离系统及方法 | ||
摘要 | 本发明提供激光剥离系统及方法,其可用于经由以下方式来提供整体式激光剥离并使裂纹最小:减小一或多个光束点在一或多个维度上的大小以减小羽烟压力(plume pressure)、同时维持足够的能量以达成分离。经由照射具有各种形状及呈各种图案的照射区,该等激光剥离系统及方法可更有效地利用激光能、减少在层分离时的裂纹并提高生产率。本文所述的某些激光剥离系统及方法经由照射使激光剥离区(lift off zone;LOZ)延伸超出照射区的非邻接照射区来分离各个材料层。本文所述的其他激光剥离系统及方法经由对照射区进行成型及经由以能避免工件被不均匀曝光的方式控制各照射区的交迭来分离各个材料层。根据至少一实施例,一种激光剥离系统及方法可用于在一半导体晶圆的一基板上提供对一或多个外延层的整体式剥离。 | ||
申请公布号 | CN102714150B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
申请号 | CN201080055594.6 | 申请日期 | 2010.12.07 |
申请人 | IPG 微系统有限公司 | 发明人 | J·P·赛塞尔;M·门德斯;胡吉 |
分类号 | H01L21/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/30(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
主权项 | 一种用于分离材料层的激光剥离方法,该方法包含:提供工件,该工件包含至少一第一材料层及第二材料层;产生至少一激光光束;以及以该至少一激光光束所形成的一光束点,照射该第一材料层与该第二材料层之间介面处的非邻接照射区,其中在该介面处各该照射区周围形成剥离区,所述剥离区延伸超出所述照射区的尺寸,其中照射所述照射区的该激光光束的激光能量足以使该第一材料层与该第二材料层在所述剥离区中分离,其中照射所述非邻接照射区包含:对至少一照射区执行依序照射,直至该第一材料层与该第二材料层在该整个工件中分离,其中所述依序照射的区域为非邻接的。 | ||
地址 | 美国新罕布什尔州 |