| 发明名称 | 多晶硅棒的选择方法及单晶硅的制造方法 | ||
| 摘要 | 采集以与通过基于化学气相沉积法的析出进行生长而得到的多晶硅棒的长轴方向垂直的截面作为主面的板状试样，对采集的全部板状试样的面内的全部方向进行X射线衍射测定，选择<111>、<220>、<311>及<400>中任意一个的密勒指数均未观察到具有偏离于平均值±2标准偏差(μ±2σ)的衍射强度的X射线衍射峰的多晶硅棒作为无取向性的多晶硅棒，将其作为单晶硅制造用原料使用。使用这样的多晶硅原料时，能够抑制在局部发生部分熔融残留，有助于单晶硅的稳定的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN103547713B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201280025081.X | 申请日期 | 2012.04.04 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C01B33/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 金龙河;穆德骏 |
| 主权项 | 一种多晶硅棒的选择方法，其为用于选择作为单晶硅制造用原料使用的多晶硅棒的方法，其特征在于，所述多晶硅棒通过基于化学气相沉积法的析出进行生长而得到，采集以与该多晶硅棒的长轴方向垂直的截面作为主面的板状试样，对该板状试样的面内的全部方向进行X射线衍射测定，选择<111>、<220>、<311>及<400>中任意一个的密勒指数均未观察到具有偏离于平均值±2标准偏差(μ±2σ)的衍射强度的X射线衍射峰的多晶硅棒作为单晶硅制造用原料。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||