具有单侧缓冲器和非对称构造的静态随机存取存储器单元

摘要

平衡在具有诸如缓冲器电路(36、38)这样的非对称环境的静态随机存取存储器(SRAM)单元(30)中的电学性能。每个存储器单元(30)包括电路特征，诸如读缓冲器(36、38)，其具有比该单元内的其它晶体管(33b、34b、35b)大的晶体管尺寸(33a、34a、35a)和特征，并且其中特征非对称性影响较小的单元晶体管。对于最好的性能，成对单元晶体管要彼此电学匹配。距非对称特征较近的单元晶体管中的一个或者更多个被不同地构造，例如，利用不同的沟道宽度、沟道长度或者净沟道掺杂浓度，以补偿非对称特征的邻近效应。

主权项

一种在集成电路的连续位单元区域中形成的存储器单元，该存储器单元包括：由第一晶体管组成的第一反相器，所述第一反相器具有位于第一存储节点的输出端和耦接到第二存储节点的输入端；由第二晶体管组成的第二反相器，所述第二反相器具有位于所述第二存储节点的输出端和耦接到所述第一存储节点的输入端，所述第二晶体管在所述第二反相器中起到的电路功能与所述第一反相器中的所述第一晶体管起到的电路功能相同；以及设置在所述位单元区域内的缓冲器电路，相比之下，其较接近所述第一反相器而非所述第二反相器；其中所述第一晶体管具有与所述第二晶体管不同的物理构造。