用于含硅薄膜的平滑SiConi蚀刻法

摘要

本发明描述一种蚀刻含硅材料的方法，该方法包含相较于先前技术具有较大或较小的氢氟流速比的SiConi^TM蚀刻。已发现以此方法改变流速比可降低蚀刻后表面的粗糙度，以及降低稠密图案化区域与稀疏图案化区域的蚀刻速率差异。其他降低蚀刻后表面粗糙度的手段包含脉冲化前体的流动和/或等离子体功率、维持相对高的基板温度与在多个步骤中执行SiConi^TM。上述每个方法可单独或合并使用，用于通过限制固态残留物晶粒大小来降低蚀刻表面的粗糙度。

主权项

一种在基板处理室的基板处理区中蚀刻在基板的表面上的含硅层的方法，其中所述方法遗留下相对平滑的蚀刻后(post‑etch)表面，所述方法包含：将含氟前体与含氢前体流入第一远端等离子体区，并同时在所述第一远端等离子体区中形成等离子体以产生等离子体流出物(plasma effluents)，所述第一远端等离子体区流体地耦合至所述基板处理区，其中所述含氟前体的流速与所述含氢前体的流速所导致的氢‑氟原子流速比(flow ratio)为小于1：1；通过使所述等离子体流出物流入所述基板处理区来蚀刻所述含硅层，并同时在所述基板的所述表面上形成固态副产物；以及通过使所述基板的温度升高至高于所述固态副产物的升华温度来升华所述固态副产物，而遗留下所述相对平滑的蚀刻后表面。