可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置

摘要

本实用新型公开了一种可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室的外壁之上设置有多个在水平方向上成环形延伸的支撑架，其与电磁线圈一一对应，所述电磁线圈置放于支撑架之上；所述支撑架的底端面设置有沿支撑架延伸的冷却管道，其内部填充有冷凝水；采用上述技术方案的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其可通过支撑架以对电磁线圈进行安装，从而提高其在反应室外部的结构稳定性；同时，支撑架底部的冷却管道可实时对电磁线圈的对应位置进行冷却处理，以避免反应室内部高温对电磁线圈所在位置造成影响，使得其发生偏移，进而影响反应室内部的刻蚀精度。

主权项

一种可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述反应室的外壁之上设置有多个在水平方向上成环形延伸的支撑架，其与电磁线圈一一对应，所述电磁线圈置放于支撑架之上，每一个电磁线圈与反应室的侧壁之间均存在一定间距；所述支撑架的底端面设置有沿支撑架延伸的冷却管道，其内部填充有冷凝水。