一种发光二极管的外延片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，外延片还包括设于n型层与多量子阱层之间的电流扩展层，电流扩展层为超晶格结构，超晶格结构由第一子层和第二子层交替层叠而成，第一子层和第二子层由Al_xGa_1-xN制成，相邻的第一子层和第二子层中的Al的组分含量不同，其中，0<x＜1。本发明通过上述技术方案，使得n型层中的电子在进入多量子阱层之前速度降低，使电子和空穴可以充分复合发光，提高了复合效率，且电流扩展层为超晶格结构，其多层结构可以有效释放衬底与n型层之间的应力，降低外延片中的缺陷，提高了内量子效率。

主权项

一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，其特征在于，所述外延片还包括设于所述n型层与所述多量子阱层之间的电流扩展层，所述电流扩展层为超晶格结构，所述超晶格结构由第一子层和第二子层交替层叠而成，所述第一子层和所述第二子层由Al_xGa_1‑xN制成，相邻的所述第一子层和所述第二子层中的Al的组分含量不同，其中，0<x＜1；各个所述第一子层的Al的组分含量不同，各个所述第二子层的Al的组分含量不同，其中，所述第一子层中的Al的组分含量逐渐减小，所述第二子层中的Al的组分含量逐渐增大，所述第一子层中Al的组分含量x的值依次为(0.45‑0.02*n)，n为层数；所述第二子层中Al的组分含量x的值依次为(0.2+0.02*n)，n为层数。