一种75μm超薄芯片生产方法

摘要

本发明提供了一种75μm超薄芯片生产方法，晶圆图形表面贴覆胶膜，倾斜切膜刀进行切膜；经粗磨、精磨、抛光和腐蚀对晶圆进行减薄，粗磨时才有四个进给速度，抛光时用三种速度；减薄后的晶圆背面绷膜，揭去晶圆正面胶膜，自动上下料；采用双轴划片技术的阶梯模式和防裂片划片工艺进行划片，完成75μm超薄芯片的生产。该生产方法能随着芯片尺寸的增大，确保后制程的加工能力；降低划片过程中存在的芯片表面裂纹以及背面崩碎等质量异常；降低切割过程中划片刀所受到的阻力，有效地降低了芯片裂纹以及崩碎的质量问题；实现超薄芯片的加工，为IC封装产品高密度、高性能和轻薄短小的发展方向提供了技术准备。

主权项

一种75μm超薄芯片生产方法，其特征在于，该生产方法具体按以下步骤进行：步骤1：晶圆正面贴膜、切膜在晶圆图形表面贴覆胶膜；然后切膜，切膜时根据晶圆定位边形状，设置对应的刀片运行轨迹参数和切膜速度，确保切膜刀片的运行轨迹随胶膜定位边而发生变化；切膜刀在接触晶圆边缘时的下刀速度为10～30mm/sec，切膜时，切膜刀与晶圆平面之间的夹角为75°～90°；步骤2：减薄采用具备12吋尺寸超薄晶圆减薄能力的全自动减薄机，先自动上料、定位，而后进行减薄：粗磨范围：从原始晶圆厚度＋胶质层厚度+胶膜保护层厚度到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋60μm，轴向进给速度100～500μm/min，减薄轮转速2000rpm～2400rpm；细磨范围：从最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋60μm到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋25μm；抛光范围：从最终晶圆厚度＋胶膜层厚度＋胶膜保护层厚度＋25μm到最终晶圆厚度＋胶质层厚度＋胶膜保护层厚度＋10μm；腐蚀范围：从最终晶圆厚度＋胶膜层厚度＋胶膜保护层厚度＋10μm到最终晶圆厚度＋胶膜层厚度＋胶膜保护层厚度，腐蚀速度1μm/sec；腐蚀后进行清洗；步骤3：减薄后的晶圆背面绷膜对于芯片尺寸大于等于2.0mm×2.0mm的晶圆，用普通划片胶膜，先在减薄后的晶圆背面自动绷膜贴片，然后揭去晶圆正面胶膜，自动上下料；对于芯片尺寸小于2.0mm×2.0mm的晶圆，选用UV胶膜，先在减薄后的晶圆背面自动绷膜贴片，然后揭去正面胶膜，自动下料；步骤4：划片在8吋及其以上尺寸超薄晶圆全自动划片机上采用双轴划片技术的阶梯模式和防裂片划片工艺进行划片，完成75μm超薄芯片的生产。