| 发明名称 | 太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 缩短制造太阳能电池所需要的时间。使用蚀刻液对结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）进行蚀刻，之后使用蚀刻成分的浓度高于上述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用上述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）的蚀刻，从而在结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）形成纹理结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103597604B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201280027090.2 | 申请日期 | 2012.05.24 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 中井拓夫;吉村直记;岛正树 |
| 分类号 | H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0236(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种具备结晶硅基板的太阳能电池的制造方法，所述结晶硅基板具有形成有纹理结构的主面，所述制造方法的特征在于：使用蚀刻液对结晶硅基板的主面进行蚀刻，之后，使用蚀刻成分的浓度高于所述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用所述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行所述结晶硅基板的主面的蚀刻，从而在结晶硅基板的主面形成纹理结构。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||