| 发明名称 | 碳化硅多孔陶瓷的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法，包括以下步骤：首先将多孔硅胶放入管式炉中，以50~300ml/min的速率通入纯度80-98%的甲烷，以5-30℃/min的升温速率逐步升温至1000~1500℃，并保持0.5-2hr，炉口出口点火，裂解的甲烷气体在管式炉中连续通过硅胶，发生原位反应，将硅胶转化为碳化硅多孔陶瓷，并遗传其孔隙结构。该方法工艺简单，可连续生产，并适用于工业规模。 | ||
| 申请公布号 | CN103833405B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201410005555.5 | 申请日期 | 2014.01.07 |
| 申请人 | 中原工学院 | 发明人 | 张小立 |
| 分类号 | C04B38/00(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B38/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人 | 张绍琳;张真真 |
| 主权项 | 一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法：首先将孔隙率为40%的多孔硅胶8g放入管式炉中，以60mL/min的速率通入纯度85%的甲烷，以10℃/min的升温速率逐步升温至1100℃，并保持1.5hr，炉口出口点火，裂解的甲烷气体在管式炉中连续通过硅胶，发生原位反应，获得碳化硅多孔陶瓷的孔隙率为40%。 | ||
| 地址 | 451191 河南省郑州市新郑双湖经济技术开发区淮河路1号 | ||