| 发明名称 | MEMS传感器中的多层NONON膜 | ||
| 摘要 | 各种实施例涉及一种MEMS压力传感器及其制造方法。该MEMS压力传感器包括：下电极；第一绝缘层，在所述下电极上方；第二绝缘层，在所述第一绝缘层上方，在所述第一绝缘层和第二绝缘层之间形成腔体；上电极，在所述第二绝缘层上方，其中，所述腔体的一部分在所述上电极和下电极之间；以及NONON压力膜，在所述上电极上方。 | ||
| 申请公布号 | CN102951592B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201210280768.X | 申请日期 | 2012.08.08 |
| 申请人 | ams国际有限公司 | 发明人 | 威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林 |
| 分类号 | B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01L9/12(2006.01)I | 主分类号 | B81B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种MEMS压力传感器，包括：下电极；上电极，在所述下电极上方；绝缘层，在所述下电极与上电极之间，其在所述上电极与下电极之间形成腔体；以及NONON压力膜，在所述上电极上方，其中所述NONON压力膜是交替的氮化物‑氧化物堆叠。 | ||
| 地址 | 瑞士拉珀斯维尔镇 | ||