发明名称 有机发光显示装置及其制造方法
摘要 根据本发明的一方面,提供有机发光显示装置,包括:具有半导体层、栅电极、源电极及漏电极的至少一个晶体管;具有形成在与所述半导体层相同的层的第一电极、形成在与所述栅电极相同的层的第二电极、形成在与所述源电极及漏电极相同的层的第三电极的第一电容器;具有形成在与所述半导体层相同的层并且包含所掺杂的离子杂质的第一电极、形成在与所述栅电极相同的层的第二电极的第二电容器;形成在与所述栅电极相同的层并且与所述晶体管电连接的像素电极;位于所述像素电极上的发光层;以及与所述像素电极相对设置的相对电极,并且在所述相对电极和所述像素电极之间设置有所述发光层。
申请公布号 CN102569343B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201110414220.5 申请日期 2011.12.13
申请人 三星显示有限公司 发明人 李律圭;柳春基;朴鲜;朴钟贤;文相晧;金那英
分类号 H01L27/32(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人 余朦;王艳春
主权项 一种有机发光显示装置,包括:至少一个晶体管,具有半导体层、栅电极、源电极及漏电极;第一电容器,具有形成在与所述半导体层相同的层的第一电极、形成在与所述栅电极相同的层的第二电极、以及形成在与所述源电极及漏电极相同的层的第三电极,所述第一电容器的第一电极由未掺杂离子杂质的半导体形成;第二电容器,具有形成在与所述半导体层相同的层的第一电极、以及形成在与所述栅电极相同的层的第二电极,所述第二电容器的第一电极由掺杂有离子杂质的半导体形成;像素电极,形成在与所述栅电极相同的层,并且与所述晶体管电连接;发光层,位于所述像素电极上;以及相对电极,与所述像素电极相对设置,并且在所述相对电极和所述像素电极之间设置有所述发光层。
地址 韩国京畿道
您可能感兴趣的专利