一种基于一维硅纳米结构阵列的可见光电化学探测器

摘要

本发明公布了一种基于一维硅纳米结构阵列的可见光电化学探测器及其制备方法，属于纳米材料性能和应用领域。特征在于利用光吸收性能优异的一维硅纳米结构阵列的光电化学响应特性实现可见光的探测。器件制备过程及所需设备相对简单，可控性良好，光响应度较高。器件构建过程主要包括：(1)利用金属催化各向异性化学腐蚀法制备一维硅纳米结构阵列；(2)利用磁控溅射或真空蒸镀技术在一维硅纳米结构阵列背面沉积导电层，并进行退火处理形成一维硅纳米结构阵列光电极；(3)以一维硅纳米结构阵列光电极为基础，构建可见光电化学探测器。本发明利用一维硅纳米结构阵列的高光电化学响应特性构建了可见光电化学探测器，拓展了半导体纳米材料的应用领域。

主权项

一种基于一维硅纳米结构阵列可见光电化学探测器的制备方法，其特征是利用一维硅纳米结构阵列的光电化学响应实现光的探测，器件构造过程相对简单，主要包括：一维硅纳米结构阵列的制备；一维硅纳米结构阵列的光电极制备；以一维硅纳米结构阵列为光电极的可见光电化学探测器构建。