发明名称 制备高纯度多晶硅的方法与装置
摘要 本发明公开了一种制备高纯度多晶硅的方法,包括如下步骤:提供过滤件,在过滤件上设置熔融状态的硅料,使所述熔融状态的硅料中的硅液与难熔杂质分离,得到纯化后的硅液;将所述纯化后的硅液定向凝固结晶形成硅锭,得到高纯度的多晶硅。本发明还公开了一种制备高纯度多晶硅的装置。本发明采用过滤除杂与定向凝固除杂相结合的方式,有效除去了硅料中的杂质,生产了高纯度的多晶硅,适合用于制备太阳能硅电池。
申请公布号 CN103122482B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201310036359.X 申请日期 2013.01.30
申请人 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 发明人 陈红荣;胡动力;鄢俊琦
分类号 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I 主分类号 C30B28/06(2006.01)I
代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 郝传鑫;熊永强
主权项 制备高纯度多晶硅的方法,其特征在于,包括如下步骤:提供过滤件,还在所述过滤件上加入了少量的团状杂质,所述团状杂质为氮化硅、碳化硅、氧化硅中的一种或多种,所述过滤件为底部带有滤孔的坩埚或耐高温材料制成的滤网,所述坩埚和滤网上的滤孔为直径1~15mm的圆形通孔或边长1~15mm的任意多边形通孔,之后在过滤件上设置熔融状态的硅料,使所述熔融状态的硅料中的硅液与难熔杂质分离,得到纯化后的硅液;将所述纯化后的硅液定向凝固结晶形成硅锭,得到高纯度的多晶硅。
地址 338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室