发明名称 |
采用高介电常数材料降低MRI射频单位吸收率及提高其信噪比的方法 |
摘要 |
将多个层状或套状的高介电常数及低电导率材料插入射频线圈、或线圈的导电物体与样本之间,实现提高信噪比,改善图像对比度,并降低磁共振成像设备或磁共振波谱仪在人体内导致的射频单位吸收率(SAR)。本发明的较佳实施例可以用作现成射频线圈的辅助设备或者直接做到射频线圈之中以改善射频线圈在发射和接收方面的性能。 |
申请公布号 |
CN102792189B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201080063007.8 |
申请日期 |
2010.12.02 |
申请人 |
上海联影医疗科技有限公司 |
发明人 |
庆·X·杨 |
分类号 |
G01V3/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01V3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 |
代理人 |
黄晓明 |
主权项 |
采用高介电常数材料降低MRI射频单位吸收率及提高其信噪比的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:在磁共振成像设备的射频线圈及将利用磁共振成像设备进行成像的组织之间设置HDC垫,所述HDC垫是一种包含高介电常数材料的垫,所述高介电常数材料是水、或者重水、或者其它化学成分、或者复合材料,所述复合材料是液体、或者混合物、或者胶状、或者玻璃粉,所述HDC垫的介电常数值高于所述组织;及利用磁共振成像设备对所述组织进行成像;其中,所述射频线圈产生电场以及由所述电场产生的穿过HDC垫到达所述组织的射频磁场;射频线圈位于HDC垫的相对侧,所述射频磁场同时穿过所述HDC垫和所述组织用以提高所述磁共振成像的信噪比。 |
地址 |
201815 上海市嘉定工业区兴贤路1180号8栋 |