发明名称 |
泡生法蓝宝石引晶形态控制方法 |
摘要 |
本发明涉及一种泡生法蓝宝石引晶形态控制方法,其包括如下步骤:a、将氧化铝原料装入单晶炉坩埚内,在籽晶杆上安装籽晶,启动真空系统及加热系统,调节加热系统的电压,以使得氧化铝原料全部融化并达到熔体表面对流稳定状态,并使得液面冷心与坩埚几何中心偏离小于20mm;b、缓慢调节籽晶位置,使得籽晶逐渐接近熔体液面,同时调节加热系统的工作电压,以避免籽晶熔融;c、在籽晶的下端部与上述熔体液面2~5mm处预热30min;d、利用传统提拉工艺,旋转籽晶,调节加热系统的工作电压,控制结晶端部的直径小于50mm,并使得结晶端部覆盖冷心后开始放肩。本发能够较好地控制结晶端部的形态;操作方便,提高引晶成功率及成品率。 |
申请公布号 |
CN102758251B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201210279358.3 |
申请日期 |
2012.08.08 |
申请人 |
无锡鼎晶光电科技有限公司 |
发明人 |
贾宝申;张向锋 |
分类号 |
C30B17/00(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I |
主分类号 |
C30B17/00(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 |
代理人 |
曹祖良 |
主权项 |
一种泡生法蓝宝石引晶形态控制方法,其特征是,所述蓝宝石引晶形态控制方法包括如下步骤:(a)、将氧化铝原料装入单晶炉坩埚内,在籽晶杆上安装籽晶,启动真空系统及加热系统,调节加热系统的电压,以使得氧化铝原料全部融化并达到熔体表面对流稳定状态,并使得液面冷心与坩埚几何中心偏离小于20mm;(b)、缓慢调节籽晶位置,使得籽晶逐渐接近熔体液面,同时调节加热系统的工作电压,以避免籽晶熔融;(c)、在籽晶的下端部与上述熔体液面2~5mm处预热30min~60min;(d)、利用传统提拉工艺,旋转籽晶,调节加热系统的工作电压,控制结晶端部的直径小于50mm,并使得结晶端部覆盖冷心后开始放肩;所述步骤(d)中,籽晶旋转的速率为2~3rpm,籽晶接触熔体液面初始阶段结晶端部的扩展速率小于0.3mm/min,并根据所述扩展速率调节提拉高度,以控制结晶端部的直径小于50mm;所述结晶端部的扩展速率为大于0.2 mm/min、小于等于0.3mm/min时,每5min提拉籽晶一次,每次提拉高度为1.5~2mm;所述结晶端部的扩展速率为0~0.2mm/min时,每5~10min提拉籽晶一次,每次提拉高度为1~1.5mm。 |
地址 |
214145 江苏省无锡市新区鸿山街道办锡协路208-6号 |