LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法，该器件包括：基底，所述基底包括第一阱区、位于所述第一阱区表面内的第二阱区、位于所述第二阱区表面内的掺杂区、位于所述掺杂区周边的场氧以及位于所述场氧下方的漂移区；位于所述掺杂区表面内的漏区，所述漏区边缘与所述漂移区边缘具有一定距离。本发明改变了增加了漏区边缘与漂移区边缘的距离，从而增大了漏区边缘与漂移区边缘之间的电阻，增大了漏区边缘与漂移区边缘之间的电流的流通路径，也就提高了器件的维持电压，因此当发生ESD现象时，所述漏区与所述漂移区间的电流不再集中，从而使器件的发热量减小，即可避免烧坏器件，从而提高LDMOS器件对ESD的耐受能力。

主权项

一种LDMOS器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一阱区、位于所述第一阱区表面内的第二阱区、位于所述第二阱区表面内的掺杂区、位于所述掺杂区周边的场氧以及位于所述场氧下方的漂移区；位于所述掺杂区表面内的漏区，所述漏区边缘与所述漂移区边缘具有一定距离；其中，所述漂移区的掺杂类型与所述第二阱区的掺杂类型相同，与所述第一阱区的掺杂类型相反，并且所述漂移区的掺杂浓度小于所述漏区的掺杂浓度，大于所述第一阱区和第二阱区的掺杂浓度。