发明名称 |
一种Er、Yb共掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Ag双层上转换发光薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于光致发光和太阳能电池技术领域,具体为一种Er、Yb共掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Ag双层上转换发光薄膜及其制备方法。本发明在石英或硅基片上制备双层薄膜,底层为Er/Yb共掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜,采用射频溅射技术沉积,溅射靶材为镶嵌金属Er片和Yb片的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷靶,通过控制Er片和Yb片在溅射区的面积和溅射功率来控制Er、Yb掺杂量;顶层为不连续的Ag金属膜,采用直流磁控溅射技术沉积,靶材为Ag靶,通过控制Ag的溅射功率和时间可获得不同表面形貌的Ag膜。本发明制备的双层薄膜结构与Er、Yb掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单层薄膜结构相比,具有明显增强的上转换发光性能。本发明方法工艺稳定性好,可重复性高,具有工业生产前景。 |
申请公布号 |
CN105255486A |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201510715029.2 |
申请日期 |
2015.10.29 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
沈杰;任锦华;王俊;郑明扬 |
分类号 |
C09K11/64(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I |
主分类号 |
C09K11/64(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
一种Er、Yb共掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Ag双层上转换发光薄膜的制备方法,其特征在于:在石英或硅基片上制备双层薄膜:其中,底层薄膜为Er/Yb共掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜,采用射频溅射技术沉积,溅射靶材为镶嵌金属Er片和Yb片的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷靶,通过控制Er片和Yb片在溅射区的面积和溅射功率来控制Er、Yb掺杂量;顶层薄膜为不连续的Ag金属膜,采用直流磁控溅射技术沉积,靶材为Ag靶,通过控制Ag的溅射功率和时间可获得不同表面形貌的Ag膜,该Ag膜通过局域表面等离子体共振作用使上转换发光得到明显增强;制备的具体条件如下:基片为石英或硅,基片温度为室温~500℃;制备底层薄膜:溅射前真空室本底压强低于1.0×10<sup>‑3</sup>Pa,射频磁控溅射时使用氧氩混合气体,总气压为0.1~1.0 Pa,O<sub>2</sub>分压占总气压比为0.5~10.0%;溅射功率密度为20~180 kW/m<sup>2</sup>;制备得到的底层薄膜置于高温炉中退火,气氛为空气﹑氮气或者惰性气体,退火温度为500~1100℃,退火时间为1~4小时;在退火后的薄膜上沉积顶层薄膜:溅射前真空室本底压强低于1.0×10<sup>‑3</sup>Pa,直流磁控溅射时使用氩气,气压为0.1~1.0Pa;溅射功率密度为1~8 kW/m<sup>2</sup>。 |
地址 |
200433 上海市杨浦区邯郸路220号 |