发明名称 | 时间门控宽场受激辐射超分辨显微方法及装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种时间门控宽场受激辐射超分辨显微方法,包括以下步骤:1)激发光经显微物镜投射到的待测样品之上,对待测样品进行宽敞激发发出荧光;2)损耗光通过光束调制模块进行调制后,同样经显微物镜投射到待测样品上,形成暗斑阵列状照明光斑,对宽敞激发区域进行受激辐射损耗;3)待测样品在受激辐射损耗后发出的荧光由显微物镜收集,并聚焦投射到光电感应器件上,得到待测样品的荧光图像;4)平移待测样品,并重复步骤1)~3),对待测样品进行水平二维扫描,得到与各扫描位置相对应的荧光图像;5)对所有荧光图像进行平移、叠加处理,最终恢复出二维超分辨图像。本发明还公开了一种时间门控宽场受激辐射超分辨显微装置。 | ||
申请公布号 | CN103487421B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
申请号 | CN201310460512.1 | 申请日期 | 2013.09.29 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 匡方;李帅;葛剑虹;刘旭 |
分类号 | G01N21/64(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/64(2006.01)I |
代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
主权项 | 一种时间门控宽场受激辐射超分辨显微方法,其特征在于,包括以下步骤:1)激发光经显微物镜投射在位于纳米水平位移台的待测样品之上,对所述的待测样品进行宽场激发发出荧光;2)损耗光通过光束调制模块进行调制后,同样经所述的显微物镜投射到所述的待测样品上,形成暗斑阵列状照明光斑,对宽场激发区域进行受激辐射损耗;3)所述待测样品在受激辐射损耗后发出的荧光由显微物镜收集,并通过聚焦投射到光电感应器件上,得到待测样品的荧光图像;在步骤3)中,在采集所述荧光图像时,对光电感应器件的成像设置时间门控进行探测延时;所述的光电感应器件为ICCD;4)移动所述的纳米水平位移台,并重复步骤1)~3),对待测样品进行水平二维扫描,得到与各扫描位置相对应的荧光图像;5)对所得到的各幅荧光图像进行平移、叠加处理,最终恢复出待测样品的二维超分辨图像。 | ||
地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |