发明名称 侧壁粗化的AlGaInP基LED
摘要 侧壁粗化的AlGaInP基LED,属于半导体技术领域。在具有背电极的永久衬底上依次设置有金属键合层、ODR反射镜、外延层、n型扩展电极和主电极;ODR反射镜由金属反射层和介质膜层构成,介质膜层与外延层相连接;金属反射层和金属键合层相连接;n型扩展电极和主电极电学连接;特点是外延层表面和侧壁都是呈粗化状。本实用新型可提高电光转换效率、延长LED的寿命,对于LED显示屏而言,可以增大可视角度,提高LED屏的显示效果。
申请公布号 CN204991747U 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201520784343.1 申请日期 2015.10.12
申请人 扬州乾照光电有限公司 发明人 徐洲;杨凯;白继锋;李俊承;林鸿亮;徐培强;赵宇;张永;张双翔
分类号 H01L33/22(2010.01)I 主分类号 H01L33/22(2010.01)I
代理机构 扬州市锦江专利事务所 32106 代理人 江平
主权项 侧壁粗化的AlGaInP基LED,在具有背电极的永久衬底上依次设置有金属键合层、ODR反射镜、外延层、n型扩展电极和主电极;ODR反射镜由金属反射层和介质膜层构成,介质膜层与外延层相连接;金属反射层和金属键合层相连接;n型扩展电极和主电极电学连接;其特征在于外延层的表面及侧壁呈粗化状。
地址 225009 江苏省扬州市维扬路108号