发明名称 |
侧壁粗化的AlGaInP基LED |
摘要 |
侧壁粗化的AlGaInP基LED,属于半导体技术领域。在具有背电极的永久衬底上依次设置有金属键合层、ODR反射镜、外延层、n型扩展电极和主电极;ODR反射镜由金属反射层和介质膜层构成,介质膜层与外延层相连接;金属反射层和金属键合层相连接;n型扩展电极和主电极电学连接;特点是外延层表面和侧壁都是呈粗化状。本实用新型可提高电光转换效率、延长LED的寿命,对于LED显示屏而言,可以增大可视角度,提高LED屏的显示效果。 |
申请公布号 |
CN204991747U |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201520784343.1 |
申请日期 |
2015.10.12 |
申请人 |
扬州乾照光电有限公司 |
发明人 |
徐洲;杨凯;白继锋;李俊承;林鸿亮;徐培强;赵宇;张永;张双翔 |
分类号 |
H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/22(2010.01)I |
代理机构 |
扬州市锦江专利事务所 32106 |
代理人 |
江平 |
主权项 |
侧壁粗化的AlGaInP基LED,在具有背电极的永久衬底上依次设置有金属键合层、ODR反射镜、外延层、n型扩展电极和主电极;ODR反射镜由金属反射层和介质膜层构成,介质膜层与外延层相连接;金属反射层和金属键合层相连接;n型扩展电极和主电极电学连接;其特征在于外延层的表面及侧壁呈粗化状。 |
地址 |
225009 江苏省扬州市维扬路108号 |