发明名称 |
离子注入设备 |
摘要 |
本发明公开了一种离子注入设备,其包括用于引出离子束的离子源系统以及一用于传输离子束的离子束传输系统,该离子束传输系统的物理边界在至少一个开放方向上单向开放或双向开放,该至少一个开放方向垂直于离子束的传输路径。本发明在保证离子束传输系统高质量地对离子束进行传输的前提之下,使得该离子束传输系统适于传输的离子束的尺寸不再受到各种束流光学元件的物理边界的限制,而是可以根据加工需求灵活地进行改变,甚至还能够适用于采用多个并行排列的离子源系统的场合,由此实现了仅凭一个离子注入设备来应对各种多样的加工需求的目的,省去了购买多个针对单一加工需求而专门设计的离子注入设备的购买成本。 |
申请公布号 |
CN103377866B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201210122200.5 |
申请日期 |
2012.04.24 |
申请人 |
上海凯世通半导体有限公司 |
发明人 |
陈炯 |
分类号 |
H01J37/317(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 |
上海弼兴律师事务所 31283 |
代理人 |
薛琦;王婧荷 |
主权项 |
一种离子注入设备,其包括用于引出离子束的离子源系统以及一用于传输离子束的离子束传输系统,其特征在于,该离子束传输系统的物理边界在至少一个开放方向上单向开放或双向开放,该至少一个开放方向垂直于离子束的传输路径,该离子束传输系统沿着离子束的传输方向依次包括至少以下四个束流光学元件:一偏转散焦磁铁、一偏转磁铁、一偏转聚焦磁铁以及一电极系统;该偏转散焦磁铁用于在该至少一个开放方向中的一个开放方向上散焦离子束,并沿着同时与离子束的散焦方向以及离子束的传输方向垂直的方向偏转离子束;该偏转磁铁用于沿着同时与离子束的散焦方向以及离子束的传输方向垂直的方向偏转离子束;该偏转聚焦磁铁用于在离子束的散焦方向上聚焦离子束,并沿着同时与离子束的聚焦方向以及离子束的传输方向垂直的方向偏转离子束;该电极系统用于沿着同时与离子束的聚焦方向以及离子束的传输方向垂直的方向偏转离子束;通过该偏转散焦磁铁、该偏转磁铁、该偏转聚焦磁铁以及该电极系统对离子束的偏转实现对离子束的质量分析。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号 |