发明名称 |
一种高取向的导电高分子薄膜的制备方法、所制得的薄膜及其应用 |
摘要 |
本发明涉及一种高取向的导电高分子薄膜的制备方法。该方法是用熔融拉伸法制备高取向的聚合物薄膜,然后用该聚合物薄膜修饰电化学聚合用的电极,然后将导电聚合物单体在该修饰的电极上进行电化学聚合形成所述的高取向的导电高分子薄膜。该导电高分子薄膜的电导率具有各向异性,即在垂直和平行修饰电极的聚合物取向薄膜方向展示出明显差异的电导率。该导电高分子薄膜可以应用于发光二极管,太阳能电池和场效应晶体管等领域。 |
申请公布号 |
CN103451698B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201310395460.4 |
申请日期 |
2013.09.03 |
申请人 |
北京化工大学 |
发明人 |
闫寿科;任忠杰 |
分类号 |
C25D9/02(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I |
主分类号 |
C25D9/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 |
代理人 |
刘元霞 |
主权项 |
一种高取向的导电高分子薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:用熔融拉伸法制备高取向的聚合物薄膜,然后用该聚合物薄膜修饰电化学聚合用的电极,然后将导电聚合物单体在该修饰的电极上进行电化学聚合形成所述的高取向的导电高分子薄膜;其中,通过熔融拉伸方法制备高取向薄膜的聚合物选自PE、PP或PVDF;所述导电聚合物单体为可电化学偶联的有机半导体小分子,选自吡咯及其衍生物,噻吩及其衍生物,苯胺及其衍生物,咔唑及其衍生物,噻唑及其衍生物;所制备的高取向的导电高分子薄膜的导电率的各向异性比在10‑1000之间。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北三环东路15号 |