MOCVD设备及其加热装置

摘要

本实用新型提供一种MOCVD设备及其加热装置，用以改善基片承载台上表面各区域的温度均匀性。其中的加热装置位于基片承载台下方并与所述基片承载台在竖直方向上相隔一段距离，以辐射的方式加热所述基片承载台，所述加热装置包括连续的第一辐射加热丝，所述第一辐射加热丝包括：两个端点，用于电连接加热电源的正负电极；用于连接该两个端点的辐射部，所述辐射部包括呈同心圆分布的多个弧形辐射段以及用于连接不同弧形辐射段的连接部；对于每一个单独的弧形辐射段而言，其内部各处的单位长度的电阻率相等；至少存在这样的两个弧形辐射段—第一弧形辐射段与第二弧形辐射段，它们的单位长度的电阻率不相等。

主权项

一种用于MOCVD设备的加热装置，所述加热装置位于基片承载台下方并与所述基片承载台在竖直方向上相隔一段距离，以辐射的方式加热所述基片承载台，所述加热装置包括连续的第一辐射加热丝，所述第一辐射加热丝包括：两个端点，用于电连接加热电源的正负电极；用于连接该两个端点的辐射部，所述辐射部包括呈同心圆分布的多个弧形辐射段以及用于连接不同弧形辐射段的连接部；对于每一个单独的弧形辐射段而言，其内部各处的单位长度的电阻率相等；至少存在这样的两个弧形辐射段——第一弧形辐射段与第二弧形辐射段，它们的单位长度的电阻率不相等。