发明名称 一种高相噪性能的VCO电路
摘要 本实用新型公开了一种高相噪性能的VCO电路,它包括V-I转换电路、CCO电路、电源电压和控制电压,所述的V-I转换电路包括组成该电路的高压MOS管第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1;所述的CCO电路包括组成该电路的低压MOS管第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4;所述的电源电压、控制电压分别与V-I转换电路连接,V-I转换电路与CCO电路连接,CCO电路与地连接。该电路采用高压MOS管构成V-I转换电路,使用高电压作为电源电压,能够有效提高CCO电路输出信号的摆幅,提高VCO电路的相噪性能。
申请公布号 CN204993303U 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201520612377.2 申请日期 2015.08.14
申请人 成都振芯科技股份有限公司 发明人 刘辉;但泽杨
分类号 H03L7/099(2006.01)I 主分类号 H03L7/099(2006.01)I
代理机构 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人 袁英
主权项 一种高相噪性能的VCO电路,它包括V‑I转换电路、CCO电路、电源电压和控制电压,其特征在于:所述的V‑I转换电路包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1,第一PMOS管P1、第二PMOS管P2和第一NMOS管N1为高压MOS管;所述的CCO电路包括第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4,第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4均为低压MOS管;所述的电源电压、控制电压分别与V‑I转换电路连接,V‑I转换电路与CCO电路连接,CCO电路与地连接。
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