发明名称 Semiconductor device including fuse
摘要 본 발명은 리페어 공정에 의한 퓨즈 절단에 의하여 주위의 절연층이나 금속 배선을 손상시키지 않는 퓨즈를 포함하는 반도체 소자를 제공한다. 본 발명의 퓨즈를 포함하는 반도체 소자는, 반도체 층 상에 형성된 도전 라인; 도전 라인 상에 형성된 보호층; 도전 라인과 전기적으로 연결된 하나 또는 그 이상의 퓨즈들; 및 하나 또는 그 이상의 퓨즈들 상에 형성되고, 보호층과 분리된 퓨즈 보호층;을 포함한다.
申请公布号 KR101586270(B1) 申请公布日期 2016.01.19
申请号 KR20090008850 申请日期 2009.02.04
申请人 삼성전자주식회사 发明人 신승우;박병률;이종명;최길현;윤종호
分类号 H01L21/82;H01L23/62 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人
主权项
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