| 摘要 |
본 발명은, CZ법에 의해 탄소농도가 3×10~2×10atoms/cm로서 육성된 실리콘 단결정봉을 잘라내어 제조된 실리콘 기판(10)상에 제2 중간 에피택셜층(22)과, 도펀트를 도프한 제1 중간 에피택셜층(21)을 갖고, 이 제1 중간 에피택셜층(21)상에 소자형성영역인 에피택셜층(30)이 적층된 실리콘 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법이다. 이에 따라, 메모리, 로직이나 고체촬상소자 등 반도체 디바이스 기판에 사용되는, 탄소를 도프한 실리콘 기판을 소재로 하고, 공업적으로 우수한 실리콘 에피택셜 웨이퍼 및 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법이 제공된다. |
