包含双极性源极接垫的三维垂直闸极NAND快闪记忆体

摘要

包括数阶的3D阵列的记忆体。各阶包括一位元线接垫、一源极线接垫及数条半导体材料之条块，条块延伸于位元线接垫与源极线接垫之间。源极线接垫包括至少一n型区及至少一p型区。记忆体包括数条耦接于此些阶之此些条块的此些条字元线。记忆体包括数个位于此些字元线与此些半导体材料之条块之间的资料储存元件，藉以使数个记忆胞设于此些条块与此些字元线的数个交叉点。记忆体包括耦接源极线接垫之n型区及p型区的电路，用以选择性地致使电流流动于此些条块，其中条块延伸自源极线接垫之n型区与p型区之一者。

主权项

【第1项】一种记忆体，包括：一半导体材料之条，延伸于一位元线接垫与一源极线接垫之间，该源极线接垫包括至少一n型区及至少一p型区；一闸极，耦接于该条；一资料储存元件，于该闸极与该条之间，藉以使一记忆胞设于该条与该闸极的一交叉点；一电路，耦接于该源极线接垫之该n型区及该p型区，且选择性地透过致使电流透过该n型区及该p型区流动于该条。