| 主权项 |
一种非挥发性半导体记忆装置，其特征在于，包含：电容电晶体，其系调整浮动闸极之电压；电荷注入电晶体，其系藉由与经上述电容电晶体调整之上述浮动闸极之电压之电压差而对上述浮动闸极注入电荷；电荷牵引电晶体，其藉由与经上述电容电晶体调整之上述浮动闸极之电压之电压差而自上述浮动闸极引出电荷；及读取电晶体，其根据上述浮动闸极内之电荷之有无而进行导通断开动作；且该非挥发性半导体记忆装置具有由上述电容电晶体、上述电荷注入电晶体、上述电荷牵引电晶体、及上述读取电晶体共有上述浮动闸极之记忆胞；且上述记忆胞包含：第1导电型之第1井，其形成上述电容电晶体；上述第1导电型之第2井，其形成上述电荷注入电晶体或上述电荷牵引电晶体之任一者；第2导电型之第3井，其形成上述电荷注入电晶体及上述电荷牵引电晶体中其余之另一者；第1深井，其系上述第2导电型，且于上述第1井之形成区域形成三重井构造；及第2深井，其系上述第2导电型，与上述第3井连接，且于上述第2井之形成区域形成三重井构造；上述第1深井与上述第2深井电性分离，且形成为可将与施加于上述第1深井之电压不同之电压施加于上述第2深井。
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