| 发明名称 | 半导体结构 | ||
| 摘要 | 体结构包括一导电条纹、一导电层、一第一介电层、与一第二介电层。第一介电层介于交错配置的导电条纹与导电层之间。第二介电层不同于第一介电层，并与第一介电层邻接在导电条纹之同一侧壁的不同位置上。 | ||
| 申请公布号 | TW201603214 | 申请公布日期 | 2016.01.16 |
| 申请号 | TW103123736 | 申请日期 | 2014.07.10 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 胡志玮;叶腾豪 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L27/105(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
| 主权项 | 【第1项】一种半导体结构，包括：一导电条纹；一导电层；一第一介电层，介于交错配置的该导电条纹与该导电层之间；以及一第二介电层，不同于该第一介电层，并与该第一介电层邻接在该导电条纹之同一侧壁的不同位置上。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||