| 发明名称 |
气阻性层积体及其制造方法、电子装置用元件以及电子装置 |
| 摘要 |
明系提供一种具备具有基材及改质促进层之基材单元，及形成在前述基材单元的改质促进层侧之气体阻障层之气体阻障性层积体，其特征在于：前述改质促进层在23℃之弹性模数为小于30GPa，前述基材单元在温度40℃、相对湿度90%之水蒸气透过率为1.0g/(m2．day)以下，前述气体阻障层，系对在前述基材单元的改质促进层侧形成之含有聚矽氮烷系化合物之层的表面，施行改质处理而形成之层，及其制造方法、由前述气体阻障性层积体所构成之电子装置用元件、以及具备该电子装置用元件之电子装置。依照本发明，能够提供一种具有优异的气体阻障性及耐弯曲性之阻障性层积体等。
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| 申请公布号 |
TW201601940 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104117118 |
申请日期 |
2015.05.28 |
| 申请人 |
琳得科股份有限公司 |
发明人 |
三村寿文;铃木悠太;永縄智史 |
| 分类号 |
B32B9/00(2006.01);C23C16/44(2006.01) |
主分类号 |
B32B9/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 |
| 主权项 |
一种气体阻障性层积体，系具备具有基材及改质促进层之基材单元，及形成在前述基材单元的改质促进层侧之气体阻障层之气体阻障性层积体，其特征在于：前述改质促进层在23℃之弹性模数为小于30GPa，前述基材单元在温度40℃、相对湿度90%之水蒸气透过率为1.0g/(m2．day)以下，前述气体阻障层，系对在前述基材单元的改质促进层侧形成之含有聚矽氮烷系化合物之层的表面，施行改质处理而形成之层。
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| 地址 |
日本 |
