旋转批量磊晶系统

摘要

明实施例系关于用于在磊晶薄膜形成期间批量处理的方法与设备。在一个示范例中，一处理腔室包括腔室盖件与基板支撑件。腔室盖件包括中心设置的气体入口与第一气体致偏器，第一气体致偏器与腔室盖件耦接并经调整而将第一处理气体侧向导向横跨复数个基板的表面。该盖件亦包括一或多个气体出口及复数个灯，气体出口自中心设置的气体入口径向向外设置，复数个灯设置于中心设置的气体入口与一或多个气体出口之间。基板支撑件系可旋转的且包括气体通道与第二气体致偏器，气体通道于基板支撑件中形成以用于将第二处理气体引至处理腔室的内部空间，第二气体致偏器经调整而将第二处理气体侧向导向横跨复数个基板的表面。

主权项

一种处理腔室，包括：一腔室盖件，具有：一中心设置的气体入口，该中心设置的气体入口经调整而将一第一处理气体引至该处理腔室的一内部空间；一或多个气体出口，该一或多个气体出口自该中心设置的气体入口径向向外设置；及一第一气体致偏器，该第一气体致偏器经定位而将该第一处理气体侧向导向横跨复数个基板的表面；复数个灯，该复数个灯设置于该腔室盖件内，复数个灯定位于中心设置的气体入口与该一或多个气体出口之间；及一可旋转的基板支撑件，该可旋转的基板支撑件设置于该处理腔室内，该可旋转的基板支撑件经调整而支撑该可旋转的基板支撑件上的该复数个基板，该可旋转的基板支撑件包含：一气体通道，该气体通道形成于该可旋转的基板支撑件中以用于将一第二处理气体引至该处理腔室的该内部空间；及一第二气体致偏器，该第二气体致偏器经定位而将该第二处理气体侧向导向横跨该复数个基板的该表
面。