| 发明名称 |
半导体元件之洗涤液及洗涤方法 |
| 摘要 |
本发明，可提供一种半导体元件之洗涤方法，系对于在具有低介电率膜，以及钴、钴合金及钨插塞中之至少1种之基板上形成硬遮罩图案，然后将此硬遮罩图案作为遮罩而对于硬遮罩、低介电率膜及阻隔绝缘膜实施乾蚀刻处理而得到之半导体元件，使用含有硷金属化合物0.001~20质量%、4级铵氢氧化物0.1~30质量%、水溶性有机溶剂0.01~60质量%、过氧化氢0.0001~0.1质量%及水之洗涤液去除乾蚀刻残渣。 |
| 申请公布号 |
TW201602338 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104113789 |
申请日期 |
2015.04.30 |
| 申请人 |
三菱瓦斯化学股份有限公司 |
发明人 |
尾家俊行;岛田宪司 |
| 分类号 |
C11D7/10(2006.01);C11D7/32(2006.01);C11D7/50(2006.01);C11D7/18(2006.01);C23F11/00(2006.01);B08B3/08(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01L21/3065(2006.01) |
主分类号 |
C11D7/10(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
周良谋;周良吉 |
| 主权项 |
一种半导体元件之洗涤方法，其特征为: 对于在具有低介电率膜，以及钴、钴合金及钨插塞中之至少1种之基板上形成硬遮罩图案，然后将此硬遮罩图案作为遮罩而对于硬遮罩、低介电率膜及阻隔绝缘膜实施乾蚀刻处理而得到之半导体元件，使用含有硷金属化合物0.001~20质量%、4级铵氢氧化物0.1~30质量%、水溶性有机溶剂0.01~60质量%、过氧化氢0.0001~0.1质量%及水之洗涤液去除乾蚀刻残渣。 |
| 地址 |
日本 |
