| 发明名称 |
钴错合物及其制造方法、含有钴的薄膜及其制作方法 |
| 摘要 |
明提供一种于在不使用氧化性气体的条件下制作含有钴的薄膜时有用的钴错合物。本发明的钴错合物是由通式（I）所表示。（式中，RA
表示通式（II）所表示的醯基、通式（III）所表示的1-三氟甲基-1-矽烷氧基烷基、通式（IV）所表示的N-烷基醯亚胺基或通式（V）所表示的烯基，m表示0或2；RB
及RC
表示氢原子或成为一体而形成碳数1～4的伸烷基的基团；RD
、RE
、RF
及RG
分别独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基；其中于m为2时，将RA
为醯基（II）、1-三氟甲基-1-矽烷氧基烷基（III）及烯基（V）的情形除外；于RA
为N-烷基醯亚胺基（IV）时，将RB
及RC
为成为一体而形成亚甲基的基团的情形除外），（式中，RH
表示氢原子或可经氟原子取代的碳数1～6的烷基），（式中，RH
与通式（II）的RH
表示相同含意；RI
表示碳数1～4的烷基） （RJ
表示碳数1～6的烷基；RK表示可经二(碳数1～3的烷基)胺基取代的碳数1～6的烷基），（式中，RM
表示氢原子或碳数1～4的烷基；RL
表示碳数1～4的烷基；波浪线表示E/Z几何异构物的任一种或该些几何异构物的混合物）。 |
| 申请公布号 |
TW201602120 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104118222 |
申请日期 |
2015.06.05 |
| 申请人 |
东曹股份有限公司;公益财团法人相模中央化学研究所 |
发明人 |
尾池浩幸;摩庭笃;古川泰志;河野和久;小礒尙之;多田贤一 |
| 分类号 |
C07F15/06(2006.01);C23C16/18(2006.01);C23C16/455(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
C07F15/06(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
叶璟宗;郑婷文;詹富闵 |
| 主权项 |
一种钴错合物，其是由通式（I）所表示，（I） （式中，RA
表示通式（II）所表示的醯基、通式（III）所表示的1-三氟甲基-1-矽烷氧基烷基、通式（IV）所表示的N-烷基醯亚胺基或通式（V）所表示的烯基，m表示0或2；RB
及RC
表示氢原子或成为一体而形成碳数1～4的伸烷基的基团；RD
、RE
、RF
及RG
分别独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基；其中于m为2时，将RA
为醯基（II）、1-三氟甲基-1-矽烷氧基烷基（III）及烯基（V）的情形除外；于RA
为N-烷基醯亚胺基（IV）时，将RB
及RC
为成为一体而形成亚甲基的基团的情形除外），（II） （式中，RH
表示氢原子或可经氟原子取代的碳数1～6的烷基），（III） （式中，RH
与通式（II）的RH
表示相同含意；RI
表示碳数1～4的烷基），（IV） （RJ
表示碳数1～6的烷基；RK
表示可经二(碳数1～3的烷基)胺基取代的碳数1～6的烷基），（V） （式中，RM
表示氢原子或碳数1～4的烷基；RL
表示碳数1～4的烷基；波浪线表示E/Z几何异构物的任一种或所述几何异构物的混合物）。 |
| 地址 |
日本;日本 |
