| 发明名称 |
透明导电性膜 |
| 摘要 |
明提供一种透明性及操作性良好且比电阻更小之透明导电性膜。
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| 申请公布号 |
TW201601934 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104115647 |
申请日期 |
2015.05.15 |
| 申请人 |
日东电工股份有限公司 |
发明人 |
藤野望;加藤大贵;梨木智刚 |
| 分类号 |
B32B7/02(2006.01);B32B27/36(2006.01);B32B9/00(2006.01);B32B5/16(2006.01);G02B1/10(2015.01);H01B5/14(2006.01);G06F3/041(2006.01) |
主分类号 |
B32B7/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种透明导电性膜，其特征在于：其系至少依序具有聚对苯二甲酸乙二酯膜、硬化层、无机矽氧化物层及铟-锡氧化物层者，并且上述聚对苯二甲酸乙二酯膜之厚度为40μm~130μm，上述硬化层于该硬化层内具备复数个无机粒子，上述硬化层之厚度与上述无机矽氧化物层之厚度之合计为300nm以上且未达3000nm，上述无机矽氧化物层之厚度超过15nm，关于上述铟-锡氧化物层，其厚度为15nm以上且50nm以下，且其表面之中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上且未达2nm。
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| 地址 |
日本 |
