发明名称 |
低変動トランジスタ・ペリフェラル回路を備えるDRAM型デバイス、及び関連する方法 |
摘要 |
動的ランダムアクセスメモリ(DRAM)は、夫々のDRAMセルが保持キャパシタ及びアクセストランジスタを備える複数のDRAMセルを有する少なくとも1つのDRAMセルアレイと、DRAMの電源電圧とは異なるボディバイアス電圧をバイアス供給電圧から生成するよう構成されるボディバイアス制御回路と、少なくとも1つのDRAMセルアレイと同じ基板に形成されるペリフェラル回路とを有し、ペリフェラル回路は、ボディバイアス電圧を受けるよう結合されたボディを有するディープリー・ディプリーティッド・チャネル(DDC)トランジスタを備え、夫々のDDCトランジスタは、実質的に非ドープのチャネル領域の下に形成された第1導電型のスクリーニング領域を備える。 |
申请公布号 |
JP2016500927(A) |
申请公布日期 |
2016.01.14 |
申请号 |
JP20150539959 |
申请日期 |
2013.10.31 |
申请人 |
三重富士通セミコンダクター株式会社 |
发明人 |
クラーク,ローレンス ティー;シフレン,ルシアン;ロイ,リチャード エス |
分类号 |
H01L21/8242;G11C11/4074;G11C11/4091;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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