发明名称 |
用于制造粉末状的前驱体材料的方法、粉末状的前驱体材料及其应用 |
摘要 |
本发明涉及一种用于制造用于光电子器件(100)的粉末状的前驱体材料的方法,所述前驱体材料具有下述一般成分的第一相:(Ca<sub>1-a-b-c-d-e</sub>Zn<sub>d</sub>Mg<sub>e</sub>Sr<sub>c</sub>Ba<sub>b</sub>X<sub>a</sub>)<sub>2</sub>Si<sub>5</sub>N<sub>8</sub>,其中X是选自镧系元素的组的活化剂,其中适用的是:0<a<1并且0≤b≤1并且0≤c≤1并且0≤d≤1并且0≤e≤1,所述方法具有下述方法步骤:A)制造反应物的粉末状的混合物,其中反应物包括上述成分的离子,其中至少选择具有大于或等于9m<sup>2</sup>/g的比表面积的氮化硅作为反应物,其中氮化硅包括阿尔法氮化硅或是无定形的,以及B)将混合物在保护气体氛围下退火。 |
申请公布号 |
CN105246859A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201480029775.X |
申请日期 |
2014.05.07 |
申请人 |
欧司朗光电半导体有限公司 |
发明人 |
朱利安娜·克切莱;西蒙·达尔迈尔;索尼娅·特拉格尔;丹尼尔·比希勒;比安卡·波尔-克莱因 |
分类号 |
C04B35/584(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/584(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
丁永凡;张春水 |
主权项 |
一种用于制造用于光电子器件(100)的粉末状的前驱体材料的方法,所述前驱体材料具有下述一般成分的第一相:(Ca<sub>1‑a‑b‑c‑d‑e</sub>Zn<sub>d</sub>Mg<sub>e</sub>Sr<sub>c</sub>Ba<sub>b</sub>X<sub>a</sub>)<sub>2</sub>Si<sub>5</sub>N<sub>8</sub>其中X是选自镧系元素的组的活化剂,其中适用的是:0<a<1并且0≤b≤1并且0≤c≤1并且0≤d≤1并且0≤e≤1,所述方法具有下述方法步骤:A)制造反应物的粉末状的混合物,其中所述反应物包括上述成分的离子,其中至少选择具有大于或等于9m<sup>2</sup>/g的比表面积的氮化硅作为反应物,其中氮化硅包括阿尔法氮化硅或是无定形的,以及B)将所述混合物在保护气体氛围下退火。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |